Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs
MSC080SMA330B4: SiC-MOSFET N-Kanal, 3300 V, 41 A, Rds(on) 0,08 Ohm, TO-247-4L bei reichelt elektronik
Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit
ZF schließt mit STMicroelectronics Vertrag über Lieferung von SiC-Halbleitern
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MSC035SMA170S: SiC-MOSFET N-Kanal, 1700 V, 59 A, Rds(on) 0,035 Ohm, TO-268 (D3P bei reichelt elektronik
Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur
In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
SiC MOSFET Vth Measurement for JEP183 | Keysight
:quality(90)/p7i.vogel.de/wcms/1f/31/1f310f1e777d5a975c896a5d9c23e9b5/89208199.jpeg "Silizium versus Siliziumkarbid: zwei MOSFETs im Vergleich")
Silizium versus Siliziumkarbid: zwei MOSFETs im Vergleich
Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba: Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
SiC: Leistungsvergleich zwischen IGBT und SiC Gen4
Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm: Tiefe Einblicke in die Gen 4 - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - Henan überlegene Schleifmittel
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Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 72A, TO-247N, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs Transistoren, 1 Stück, SCT3030KLGC11 : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
