SiC-MOSFETs der dritten Generation bieten eine hohe Leistung
Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur
Optimierte CoolSiC™ MOSFETs 650 V im D²PAK-Gehäuse reduzieren Verluste in der Anwendung und erhöhen die Zuverlässigkeit im Betrieb - Infineon Technologies
Siliziumkarbid (SiC) - EWA - TU Dortmund
Bare-Die-Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
Siliziumkarbid-MOSFETs | Coherent
Potens Semiconductor präsentiert SiC Produkt-Roadmap: Zukunftspläne für SiC MOSFETs und SiC Schottky Dioden enthüllt - Blume Elektronik
M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - onsemi | Mouser
Switching characteristics of Si MOSFET with fast body diode at higher... | Download Scientific Diagram
Silicon Carbide (SiC) Power Modules | Microchip Technology
SiC: Leistungsvergleich zwischen IGBT und SiC Gen4
In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - Infineon Technologies
Hochtemperatur-SiC-MOSFETs von ST | Elektor Magazine
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction
Effizientere Schaltnetzteile durch SiC-MOSFETs | DigiKey
Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs | Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungsmodule | Semikron Danfoss
SiC – eine Bestandsaufnahme (Teil 3): Optimierungspotenzial bei SiC-MOSFETs - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
