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Exploring the Pros and Cons of Silicon Carbide (SiC) FETs: A New MOSFET from Cree - Technical Articles
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Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs
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SiC-MOSFET - Ergebnisse der Produktsuche | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
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SiC-MOSFETs der 4. Generation - ROHM Semiconductor | DigiKey
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Transistoren SIC MOSFET. | DACPOL Polen
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Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction
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So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
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SiC Transistor Basics: FAQs | Electronic Design
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SiC-Power-FETs mit extrem niedrigen RDS(on) | Elektor Magazine
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Chanzon 10pcs 20N60 TO-220F Sic Mosfet MOS N-Kanal Transistor n-fet 20A : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
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650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser
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Chanzon 10 Stück STF24N60M2 TO-220F Sic Mosfet Transistor : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
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B2M065120H BASiC SEMICONDUCTOR - Transistor: N-MOSFET | SiC; unipolar; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W | TME - Elektronik Bauteile
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Die Unterschiede zwischen GaN- und SiC-Transistoren | Arrow.de
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Leistungsstarke Umschalttransistoren SiC FET mit UnitedSiC | Elektronische Teile. Vertriebshändler und Onlineshop - Transfer Multisort Elektronik
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Thermische Charakterisierung von AlGaN/GaN-HEMTs auf Si- und n-SiC-Substraten | Ferdinand-Braun-Institut
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Chanzon 10 Stück IRLZ34NPBF TO-220 Sic Power Sic MOSFET Transistor 30A Mosfets Transistor : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
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G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor | Mouser Deutschland
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Figure 4 from Silicon Carbide Power Transistors: A New Era in Power Electronics Is Initiated | Semantic Scholar
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UnitedSiC / Siiliziumkarbid: Vierte Generation an SiC-Transistoren - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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LSIC1MO120E0080: SIC MOSFET N-Channel 1200V 25A 0,8 Ohm, TO-247-3L bei reichelt elektronik
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Chanzon 10pcs 10N65 TO-220F Sic Mosfet MOS N-Kanal Transistor n-fet 10A : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
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